芯片上“长”出原子级薄晶体管


(资料图)

【芯片上“长”出原子级薄晶体管】据科技日报,美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺,可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层,以实现更密集的集成。这项技术可能会让芯片密度更高、功能更强大。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。这项技术绕过了之前与高温和材料传输缺陷相关的问题,缩短了生长时间,并允许在较大的8英寸晶圆上形成均匀的层,这使其成为商业应用的理想选择。

资讯编辑:刘奕 17739761747

资讯监督:李瑞 15981879377

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